"

亚博体彩竞猜-官网

    1. <tt id="u5saq"></tt>
      <rt id="u5saq"></rt>
      1. <rt id="u5saq"></rt>
        <tt id="u5saq"></tt>
        1. "
          首页  >  研究生教育  >  学术看板  >  正文
          【成电EMC2论坛 第041期】High-performance phase-change memory technology toward IoT era
          发布日期:2019-10-15作者: 阅读次数:

           题目:High-performance phase-change memory technology toward IoT era

           

          主讲人: 尹友 副教授

          主持人李晶泽 教授

            20191017日(星期四)上午10:30 -11:30

            沙河校区微固楼420会议室

           

          主讲人简介:     

               尹友副教授现为IEEE资深会员亚博体彩竞猜-官网,曾担任国际期刊的编辑和国际会议如IEEE ICSICT的技术委员。2003年从上海交通大学毕业,获得工学博士学位亚博体彩竞猜-官网。随后到日本群马大学先进器件实验室做博士后亚博体彩竞猜-官网,先后担任助理教授/副教授。目前的研究兴趣是微/纳米电子加工及器件亚博体彩竞猜-官网、新存储材料、多态和低能耗超高密度非挥发性存储器和纳米计量等。特别是成功地研制出了20态以上的相变存储器亚博体彩竞猜-官网,至今已在ACS Nano、Appl. Phys. Lett.等国际期刊上发表文章117篇,获得日本横山科学技术奖等奖励。



          讲座内容:
              We have entered into an unprecedented era of IoT with explosively growing information. More and more high-performance memories are required. Although currently flash memory is still mainstream nonvolatile memory, it is facing many serious problems such as slow speed, and bad endurance. Phase-change memory (PCM) is widely regarded as the next generation nonvolatile memory. It is based on rapid reversible phase-transformation between amorphous and crystalline phases of chalcogenide such as Ge2Sb2Te5. In this talk, the following contents will be covered. 1. Ultralow volume change chacogenide for high endurance;

          2. Ultrahigh density PCM with more than 16 resistance levels;

          3. Ultralow power consumption PCM.

             

          热忱欢迎广大师生积极参与亚博体彩竞猜-官网!

           

          "亚博体彩竞猜-官网

            1. <tt id="u5saq"></tt>
              <rt id="u5saq"></rt>
              1. <rt id="u5saq"></rt>
                <tt id="u5saq"></tt>
                1. "